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產(chǎn)品詳情：
1. 鍍膜室極限真空度: 可選優(yōu)于5E-8、5E-9、9E-10托
2. 從大氣抽至9.9E-7托時(shí)間小于30分鐘
3. 基片通過(guò)預(yù)真空室裝樣后，鍍膜室10內(nèi)分鐘恢復(fù)原真空度
4. 系統(tǒng)關(guān)機(jī)12小時(shí)后鍍膜室保持真空度優(yōu)于E-2托
5. 可選基片尺寸：4、6、8、12寸
6. 適于LIFT-OFF工藝鍍膜
7. 膜厚均勻性：
（1）4英寸晶圓內(nèi)優(yōu)于±2%
（2）6英寸晶圓內(nèi)優(yōu)于±3%
（3）8英寸晶圓內(nèi)優(yōu)于±4%
（4）12英寸晶圓內(nèi)優(yōu)于±5%
8. 速率顯示分辨率：0.01埃/秒，膜厚顯示分辨率：0.1埃
9. 可選基片GLAD傾角±90度，可選0-20RPM自轉(zhuǎn)
10.可選基片加熱至600℃、950℃，控溫精度:±1度,可選0-20RPM自轉(zhuǎn)
11.可選基片液氮冷卻至零下150度,可選控溫精度±2℃,可選0-20RPM自轉(zhuǎn)
12.LOAD LOCK極限真空度: 可選優(yōu)于5E-7、5E-8托

典型應(yīng)用：
用于LIFT-OFF工藝鍍膜
用于GLAD工藝鍍膜
可蒸鍍金屬，半導(dǎo)體或介質(zhì)材料
可蒸鍍鐵鈷鎳等磁性材料
可蒸鍍單層、多層膜或共蒸合金薄膜
用于量子科學(xué)、超導(dǎo)材料、約瑟夫結(jié)、半導(dǎo)體、碳基器件、
石墨烯等二維半導(dǎo)體材料、光電微納器件、生物薄膜及其
他材料薄膜沉積